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    攻克氮化鎵基倒裝結(jié)構(gòu)功率型LED關(guān)鍵技術(shù)

        作者:宏拓新軟件
        發(fā)布日期:2007-11-29         
    閱讀:101     
     
     
       2月15日,中國科學院半導體所創(chuàng)新項目“氮化鎵基倒裝結(jié)構(gòu)功率型半導體發(fā)光二極管(LED)及關(guān)鍵技術(shù)”通過成果鑒定。

        半導體照明的核心技術(shù)是氮化鎵和鋁鎵銦磷等材料為代表的高亮度發(fā)光二級管,半導體所在此研究領(lǐng)域有數(shù)年研究成果的堅實基礎(chǔ)和一支善于攻關(guān)的科研隊伍,在核心技術(shù)上有自己的創(chuàng)新特點。2004年6月,半導體所將“氮化鎵基倒裝結(jié)構(gòu)功率型半導體發(fā)光二極管(LED)及關(guān)鍵技術(shù)”列入半導體所知識創(chuàng)新工程項目,并投入資金,圍繞氮化鎵基大功率藍光、白光LED的設(shè)計、制作及批量化生產(chǎn)的關(guān)鍵技術(shù)等開展攻關(guān)。

        傳統(tǒng)小功率LED及功率型LED通常采用正裝結(jié)構(gòu),隨著功率、工作電流以及芯片尺寸的增大,該結(jié)構(gòu)存在諸多問題,影響了出光效率和可靠性。經(jīng)過科研人員的努力攻關(guān),采用了倒裝結(jié)構(gòu)功率型LED的設(shè)計,解決了正裝結(jié)構(gòu)存在的技術(shù)難題,使該項目在關(guān)鍵技術(shù)取得突破性進展。鑒定委員會認為:“氮化鎵基倒裝結(jié)構(gòu)功率型半導體發(fā)光二極管(LED)及關(guān)鍵技術(shù)”成功研制出氮化鎵(GaN)基倒裝結(jié)構(gòu)功率型藍光、白光LED。經(jīng)中國計量科學院測試研制的藍光功率型LED在350毫安(mA)工作電流時,其正向電壓小于3.5伏(V)、藍光最高光功率達189毫瓦(mW),白光最高發(fā)光效率為47.5 流明/每瓦(lm/W),色坐標(0.335,0.338),色溫5413開(K),顯色指數(shù)大于80。綜合指標在國內(nèi)處于領(lǐng)先地位,部分指標超過2005年國際市場上同類器件的產(chǎn)品指標。

        專家們認為,該項目開發(fā)了具有自我知識產(chǎn)權(quán)的光、電、熱綜合模擬的倒裝結(jié)構(gòu)LED的設(shè)計方法,在國際上首次提出并實現(xiàn)了一種具有低熱阻背孔結(jié)構(gòu)過渡熱沉的倒裝功率型LED芯片,開發(fā)了相應(yīng)的綜合集成技術(shù);優(yōu)化了等離子增強化學氣相沉積(PECVD)和感應(yīng)耦合等離子體刻蝕(ICP)P型氮化鎵(P-GaN)條件,開發(fā)了一種低損傷PECVD掩膜沉積技術(shù)及低損傷無沾污ICP刻蝕技術(shù);開發(fā)了由非鎳金等金屬構(gòu)成的新型低接觸電阻,高反射率及高可靠性德P電極金屬化體系;開發(fā)了高可靠性、低接觸電阻的N電極金屬化體系。
     

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